Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / BAT68E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BAT68E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAT68E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BAT68E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky - Single |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 8V |
Strom - max | 130mA |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
Verlustleistung (max.) | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT68E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAT68E6327HTSA1-FT |
HSMP-389L-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389R-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389R-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389R-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389T-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR1
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-389T-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389U-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389U-TR1G
Broadcom Limited
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel