Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAV102-GS08
Herstellerteilenummer | BAV102-GS08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAV102-GS08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV102-GS08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 150V |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Supplier Device Package | SOD-80 MiniMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV102-GS08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAV102-GS08-FT |
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
40EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
60EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel