Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAV103-GS18
Herstellerteilenummer | BAV103-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAV103-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV103-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Supplier Device Package | SOD-80 MiniMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV103-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAV103-GS18-FT |
S3B-13
Diodes Incorporated
S3D-13
Diodes Incorporated
S3G-13
Diodes Incorporated
S3J-13
Diodes Incorporated
S3K-13
Diodes Incorporated
S3M-13
Diodes Incorporated
S5AC-13
Diodes Incorporated
S5BC-13
Diodes Incorporated
S5DC-13
Diodes Incorporated
S5GC-13
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel