Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BAV170E6359HTMA1
Herstellerteilenummer | BAV170E6359HTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAV170E6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170E6359HTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 50mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5nA @ 75V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170E6359HTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAV170E6359HTMA1-FT |
1SS184,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21A-TP
Micro Commercial Co
BAS40-06-TP
Micro Commercial Co
BAV70
ON Semiconductor
DB3X313J0L
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MMBD1405
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MMBD1505A
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1SS379,LF
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1SS396,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21S-TP
Micro Commercial Co
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel