Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAV203-GS18
Herstellerteilenummer | BAV203-GS18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAV203-GS18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV203-GS18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-80 Variant |
Supplier Device Package | SOD-80 QuadroMELF |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV203-GS18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAV203-GS18-FT |
VS-40EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel