Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BAV20W-G3-18
Herstellerteilenummer | BAV20W-G3-18 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BAV20W-G3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV20W-G3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 150V |
Kapazität @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20W-G3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAV20W-G3-18-FT |
SBL1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel