Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / BAW56S/DG/B2,135
Herstellerteilenummer | BAW56S/DG/B2,135 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BAW56S/DG/B2,135 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56S/DG/B2,135 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 2 Pair Common Anode |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 250mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 80V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56S/DG/B2,135 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BAW56S/DG/B2,135-FT |
MUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CTR
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MUR10020CT
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XC7S6-1FTGB196I
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AX250-1FG256I
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APA750-PQG208
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A3PN030-ZVQ100I
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EP3C16F256C6
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5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
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EP1C4F400C8
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EP2AGZ300FF35C4N
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