Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) / BB837E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BB837E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BB837E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BB837E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Kapazität @ Vr, F | 0.52pF @ 28V, 1MHz |
Kapazitätsverhältnis | 12 |
Kapazitätsverhältnis Bedingung | C1/C25 |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 30V |
Diodentyp | Single |
Q @ Vr, F | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-76, SOD-323 |
Supplier Device Package | PG-SOD323-2 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB837E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BB837E6327HTSA1-FT |
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
XC7S75-1FGGA676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68M
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F29E2SG
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC2VP30-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation