Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BC639,112
Herstellerteilenummer | BC639,112 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BC639,112 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BC639,112 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 1A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Leistung max | 830mW |
Frequenz - Übergang | 180MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC639,112 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BC639,112-FT |
SBCP53-10T1G
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SPZT2907AT1G
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XC4005XL-3TQ144C
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ICE40LM1K-SWG25TR1K
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Microsemi Corporation
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