Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / BC846S/DG/B3F
Herstellerteilenummer | BC846S/DG/B3F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BC846S/DG/B3F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BC846S/DG/B3F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC846S/DG/B3F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BC846S/DG/B3F-FT |
JANTXV2N2920L
Microsemi Corporation
JANTXV2N6987
Microsemi Corporation
JANTXV2N6988
Microsemi Corporation
BC856ASQ-7-F
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DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated
DP0150BDJ-7
Diodes Incorporated
ZXTD617MCTA
Diodes Incorporated
ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated
TPCP8701(TE85L,F,M
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TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1000-4FGG676C
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M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
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5AGXBA7D6F27C6N
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EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation