Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BC849CLT1G
Herstellerteilenummer | BC849CLT1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BC849CLT1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BC849CLT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 300mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC849CLT1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BC849CLT1G-FT |
MMBT5401LT1G
ON Semiconductor
MMBTA42LT1G
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SMMBT5551LT1G
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BC846ALT1G
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M1A3P400-FG484
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APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
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5SGSMD8K3F40C4N
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XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
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LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EP4CE115F29I8L
Intel