Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / BC856BDW1T1G
Herstellerteilenummer | BC856BDW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BC856BDW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BC856BDW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 65V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 380mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BDW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BC856BDW1T1G-FT |
XP0140100L
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XP0150100L
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XC6SLX150-3FGG900I
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A54SX16A-PQG208
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LFE5UM-85F-8BG756C
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A42MX16-1VQG100I
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10M08DAF484C8GES
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A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation