Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR 108L3 E6327
Herstellerteilenummer | BCR 108L3 E6327 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BCR 108L3 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR 108L3 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108L3 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR 108L3 E6327-FT |
PDTC123TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123YE,115
NXP USA Inc.
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
A40MX02-2VQ80
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
5SGXMABK3H40C2N
Intel
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC4028XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SG
Intel