Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR 112L3 E6327
Herstellerteilenummer | BCR 112L3 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR 112L3 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR 112L3 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 112L3 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR 112L3 E6327-FT |
PDTC123YE,115
NXP USA Inc.
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
PDTC124TE,115
NXP USA Inc.
PDTC124XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143EE,115
NXP USA Inc.
PDTC143TE,115
NXP USA Inc.
PDTC143XE,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,115
NXP USA Inc.
PDTC144EE,135
NXP USA Inc.
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel