Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR142E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR142E6327HTSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BCR142E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR142E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR142E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR142E6327HTSA1-FT |
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRP123ES,126
NXP USA Inc.
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
PDTA115TS,126
NXP USA Inc.
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel