Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR183E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR183E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR183E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR183E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR183E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR183E6327HTSA1-FT |
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
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PBRP123ES,126
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PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
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PDTA113ZS,126
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PDTA114ES,126
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PDTA114TS,126
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PDTA114YS,126
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