Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR 198L3 E6327
Herstellerteilenummer | BCR 198L3 E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR 198L3 E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR 198L3 E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 70mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 190MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-101, SOT-883 |
Supplier Device Package | PG-TSLP-3-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 198L3 E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR 198L3 E6327-FT |
PDTA143XMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA144EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA144TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA144VMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTA144WMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114EMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114TMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC114YMB,315
Nexperia USA Inc.
PDTC115EMB,315
Nexperia USA Inc.
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C7N
Intel
5SGXEA4K1F40C1N
Intel
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2LG
Intel
EP2AGX45DF29I3N
Intel