Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / BCR35PNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BCR35PNH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR35PNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR35PNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR35PNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR35PNH6327XTSA1-FT |
UMA4NT1G
ON Semiconductor
UMA6NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1G
ON Semiconductor
PEMH10,115
Nexperia USA Inc.
PEMH15,115
Nexperia USA Inc.
PEMB11,115
Nexperia USA Inc.
PEMD9,115
Nexperia USA Inc.
PEMH13,115
Nexperia USA Inc.
PEMH11,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100C8
Intel
5SGSMD5K3F40C2N
Intel
EP2AGX95DF25C6N
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C7N
Intel