Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / BCR35PNH6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BCR35PNH6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR35PNH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR35PNH6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 250mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR35PNH6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR35PNH6327XTSA1-FT |
UMA4NT1G
ON Semiconductor
UMA6NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1
ON Semiconductor
UMC2NT1G
ON Semiconductor
PEMH10,115
Nexperia USA Inc.
PEMH15,115
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PEMB11,115
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PEMD9,115
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PEMH13,115
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PEMH11,115
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