Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR555E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR555E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR555E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR555E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 330mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR555E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR555E6327HTSA1-FT |
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
PDTA115TS,126
NXP USA Inc.
PDTA123ES,126
NXP USA Inc.
PDTA123JS,126
NXP USA Inc.
PDTA123YS,126
NXP USA Inc.
XC2V500-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
LCMXO3LF-1300C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
Intel
EP4CE40F29C6N
Intel
EP1C6Q240C6
Intel