Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / BCR562E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BCR562E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCR562E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCR562E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 330mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR562E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCR562E6327HTSA1-FT |
PDTA124TS,126
NXP USA Inc.
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
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PDTA144VS,126
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PDTA144WS,126
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PDTB113ES,126
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