Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCV29H6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BCV29H6327XTSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BCV29H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
BCV29H6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Leistung max | 1W |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-243AA |
Supplier Device Package | SOT-89-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV29H6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCV29H6327XTSA1-FT |
2SC4731S-AY
ON Semiconductor
2SC4731T-AY
ON Semiconductor
2SC4783-T1-A
Renesas Electronics America
2SC4837S-AY
ON Semiconductor
2SC4901YK-TL-E
Renesas Electronics America
2SC4901YK-TR-E
Renesas Electronics America
2SC4926YD-TL-E
Renesas Electronics America
2SC4942-T1-AZ
Renesas Electronics America
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel