Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCW 66G E6327
Herstellerteilenummer | BCW 66G E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCW 66G E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCW 66G E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 800mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 330mW |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW 66G E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCW 66G E6327-FT |
BC 850B B5003
Infineon Technologies
BC 850BF E6327
Infineon Technologies
BC 850C B5003
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BC 856A E6327
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BC 856B E6327
Infineon Technologies
BC 856B E6433
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BC 857B B5003
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BC80716MTF
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BC80725MTF
ON Semiconductor
BC80740B5003XT
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LFXP2-5E-6TN144I
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256I
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A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-QN84
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LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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EPF10K30EQC208-2N
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