Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCW 66H B6327
Herstellerteilenummer | BCW 66H B6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCW 66H B6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCW 66H B6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 800mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 330mW |
Frequenz - Übergang | 170MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW 66H B6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCW 66H B6327-FT |
BC 850BF E6327
Infineon Technologies
BC 850C B5003
Infineon Technologies
BC 856A E6327
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BC 856B E6327
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BC 856B E6433
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BC 857B B5003
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BC80716MTF
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BC80725MTF
ON Semiconductor
BC80740B5003XT
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BC80740MTF
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A3PN015-QNG68I
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XC6VCX130T-2FFG484I
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M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
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10M16DCF256I6G
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5SGXMA4K3F40I4N
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XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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EPF10K10AQC208-3N
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