Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCY59VIII
Herstellerteilenummer | BCY59VIII |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BCY59VIII |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCY59VIII Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 390mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY59VIII Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCY59VIII-FT |
MMBT3904L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
MMBT2222A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC846B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
AX250-2FGG484
Microsemi Corporation
5CGTFD5C5F27I7N
Intel
10M50SCE144C7G
Intel
5SGXEB6R3F43C4
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
LFE5U-12F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel
EP1S30F780C5
Intel