Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / BCY59VIII
Herstellerteilenummer | BCY59VIII |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BCY59VIII |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BCY59VIII Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 45V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 700mV @ 2.5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Leistung max | 390mW |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Supplier Device Package | TO-18 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCY59VIII Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BCY59VIII-FT |
MMBT3904L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC847B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
MMBT2222A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC846B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC807-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
BC817-40 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel