Herstellerteilenummer | BD649-S |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BD649-S |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BD649-S Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 8A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 100V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Leistung max | 2W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD649-S Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BD649-S-FT |
BC847CW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
BC856W/ZLX
NXP USA Inc.
BC857B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC857BW/MIF
Nexperia USA Inc.
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel