Zuhause / Produkte / Widerstände / Widerstände zur Gehäusemontage / BDS2A60030RJ
Herstellerteilenummer | BDS2A60030RJ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BDS2A60030RJ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | BDS, CGS |
BDS2A60030RJ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 30 Ohms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 600W |
Zusammensetzung | Thick Film |
Temperaturkoeffizient | ±150ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 140°C |
Eigenschaften | RF, High Frequency |
Beschichtung, Gehäusetyp | Epoxy Coated |
Montagefunktion | Flanges |
Größe / Abmessung | 2.559" L x 2.362" W (65.00mm x 60.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.417" (36.00mm) |
Führungsstil | M4 Threaded |
Paket / fall | Box |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A60030RJ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BDS2A60030RJ-FT |
TGHPV1K00KE
Ohmite
TGHPV1R00KE
Ohmite
TGHPV250RKE
Ohmite
TGHPV27R0KE
Ohmite
TGHPV470RKE
Ohmite
TGHPV50R0KE
Ohmite
TGHPV5R00KE
Ohmite
TGHPV68R0KE
Ohmite
TGHPV750RKE
Ohmite
TGHPV7R50KE
Ohmite
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
XC3S50-4PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8LN
Intel
XC2V1000-6BGG575C
Xilinx Inc.
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3SE110F780I4L
Intel