Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BF799E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BF799E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BF799E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BF799E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Frequenz - Übergang | 800MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 280mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 35mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF799E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BF799E6327HTSA1-FT |
BFG480W,135
NXP USA Inc.
BFG540W/X,115
NXP USA Inc.
BFG540W/XR,135
NXP USA Inc.
BFP 405 H6433
Infineon Technologies
BFP 640 H6433
Infineon Technologies
BFP182WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP183WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP193WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP405E6327BTSA1
Infineon Technologies
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel