Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFG198,115
Herstellerteilenummer | BFG198,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFG198,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFG198,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 10V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG198,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFG198,115-FT |
2SC5753-A
CEL
2SC5753-T2-A
CEL
2SC5754-A
CEL
2SC5754-T2-A
CEL
BFU668F,115
NXP USA Inc.
BFU725F,115
NXP USA Inc.
NE662M04-A
CEL
NE662M04-T2-A
CEL
NE663M04-A
CEL
NE663M04-T2-A
CEL
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel