Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFP 640FESD E6327
Herstellerteilenummer | BFP 640FESD E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFP 640FESD E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFP 640FESD E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 4.7V |
Frequenz - Übergang | 46GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Gewinnen | 8B ~ 30.5dB |
Leistung max | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Flat Leads |
Supplier Device Package | 4-TSFP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP 640FESD E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFP 640FESD E6327-FT |
BFQ18A,115
NXP USA Inc.
BFU590QX
NXP USA Inc.
BFU580QX
NXP USA Inc.
BFQ149,115
NXP USA Inc.
BFQ19,115
NXP USA Inc.
BFQ540,115
NXP USA Inc.
BFQ591,115
NXP USA Inc.
2SC3357-A
CEL
2SC3357-T1-A
CEL
2SC4536-AZ
CEL