Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFR 181T E6327
Herstellerteilenummer | BFR 181T E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFR 181T E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFR 181T E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 19.5dB |
Leistung max | 175mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 5mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 20mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | PG-SC-75 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 181T E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFR 181T E6327-FT |
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel