Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFR 183T E6327
Herstellerteilenummer | BFR 183T E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFR 183T E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFR 183T E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 19.5dB |
Leistung max | 250mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 15mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | PG-SC-75 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 183T E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFR 183T E6327-FT |
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
SD1444
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel