Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFR193E6327HTSA1
Herstellerteilenummer | BFR193E6327HTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFR193E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFR193E6327HTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 10dB ~ 15dB |
Leistung max | 580mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR193E6327HTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFR193E6327HTSA1-FT |
BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP182WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP196WNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP405H6740XTSA1
Infineon Technologies
BFP410H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP420H6433XTMA1
Infineon Technologies
BFP420H6740XTSA1
Infineon Technologies
BFP420H6801XTSA1
Infineon Technologies
BFP450H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP450H6433XTMA1
Infineon Technologies