Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFR 360T E6327
Herstellerteilenummer | BFR 360T E6327 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFR 360T E6327 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFR 360T E6327 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 9V |
Frequenz - Übergang | 14GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1.8GHz |
Gewinnen | 13.5dB |
Leistung max | 210mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 15mA, 3V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 35mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-75, SOT-416 |
Supplier Device Package | PG-SC-75 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 360T E6327 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFR 360T E6327-FT |
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
SD1127
Microsemi Corporation
SD1444
Microsemi Corporation
2SC5006-A
CEL
2SC5006-T1-A
CEL
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel