Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFU580GX
Herstellerteilenummer | BFU580GX |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFU580GX |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFU580GX Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 11GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1.8GHz |
Gewinnen | 10.5dB |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 30mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 60mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU580GX Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFU580GX-FT |
BFG505/X,235
NXP USA Inc.
BFG520,215
NXP USA Inc.
BFG520,235
NXP USA Inc.
BFG520/X,215
NXP USA Inc.
BFG520/X,235
NXP USA Inc.
BFG540,215
NXP USA Inc.
BFG540/X,215
NXP USA Inc.
BFG590,215
NXP USA Inc.
BFG590/X,215
NXP USA Inc.
BFG67,215
NXP USA Inc.
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel