Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFU710F,115
Herstellerteilenummer | BFU710F,115 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFU710F,115 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFU710F,115 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 2.8V |
Frequenz - Übergang | 43GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz |
Gewinnen | - |
Leistung max | 136mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 200 @ 1mA, 2V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 10mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-343F |
Supplier Device Package | 4-DFP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU710F,115 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFU710F,115-FT |
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5087YTE85LF
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LM3046M
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2SC4618TLN
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5SGXEA9K3H40I3LN
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