Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
Herstellerteilenummer | BFY193PZZZA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFY193PZZZA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Gewinnen | 12.5dB ~ 13.5dB |
Leistung max | 580mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | MICRO-X1 |
Supplier Device Package | MICRO-X1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
Microsemi Corporation
42106HS
Microsemi Corporation
42107HS
Microsemi Corporation
42108HS
Microsemi Corporation
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
44022H
Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel