Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / BFY193PZZZA1
Herstellerteilenummer | BFY193PZZZA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BFY193PZZZA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BFY193PZZZA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
Gewinnen | 12.5dB ~ 13.5dB |
Leistung max | 580mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | MICRO-X1 |
Supplier Device Package | MICRO-X1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFY193PZZZA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BFY193PZZZA1-FT |
40036S
Microsemi Corporation
40036ST
Microsemi Corporation
42105
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42106HS
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42107HS
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42108HS
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42126
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44010
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Microsemi Corporation
44086H
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LFE2M100SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
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AGL600V2-CS281I
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AGL250V5-CSG196
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LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-2NGZ
Intel