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Herstellerteilenummer | BQ4010YMA-200 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4010YMA-200 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4010YMA-200 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 64Kb (8K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
Zugriffszeit | 200ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-200 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4010YMA-200-FT |
W632GU6KB15I
Winbond Electronics
W632GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-12
Winbond Electronics
W632GG6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-11
Winbond Electronics
W631GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel