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Herstellerteilenummer | BQ4010YMA-70N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4010YMA-70N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4010YMA-70N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 64Kb (8K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-70N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4010YMA-70N-FT |
W631GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-12
Winbond Electronics
W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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W632GU6MB-12
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W631GU6MB-12
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W631GU6MB-12 TR
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XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel