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Herstellerteilenummer | BQ4010YMA-70 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4010YMA-70 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4010YMA-70 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 64Kb (8K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-70 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4010YMA-70-FT |
W632GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-12
Winbond Electronics
W632GG6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-11
Winbond Electronics
W631GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel