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Herstellerteilenummer | BQ4011MA-200 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4011MA-200 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4011MA-200 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 200ns |
Zugriffszeit | 200ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011MA-200 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4011MA-200-FT |
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU6MB-12 TR
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W632GG6MB-09
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W632GG6MB-11
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W632GG6MB-11 TR
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W632GG6MB-12 TR
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W632GG6MB-15
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W632GG6MB-15 TR
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LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel