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Herstellerteilenummer | BQ4013YMA-120 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4013YMA-120 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4013YMA-120 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120ns |
Zugriffszeit | 120ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-120 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4013YMA-120-FT |
W632GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-15
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W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
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XC2S30-5VQ100C
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XC6SLX75T-3FGG484C
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A3P125-1PQG208I
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EP4CE55F23C9L
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EP4CE15E22I8L
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EP3SE110F1152C4LN
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XC5VLX155T-3FFG1738C
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LFE3-150EA-7FN1156CTW
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LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation