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Herstellerteilenummer | BQ4013YMA-70N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4013YMA-70N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4013YMA-70N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Zugriffszeit | 70ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-70N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4013YMA-70N-FT |
W632GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-18
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W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
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W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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XC2V3000-5FGG676I
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M2GL025TS-1FCSG325I
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AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
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EP3SL70F484I3N
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EP2AGX45DF25C6
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5SGXMB9R3H43C3N
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XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation