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Herstellerteilenummer | BQ4013YMA-85 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4013YMA-85 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4013YMA-85 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 1Mb (128K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 85ns |
Zugriffszeit | 85ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-85 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4013YMA-85-FT |
W632GG6KB-18
Winbond Electronics
W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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W632GG6KB12I TR
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W632GG6KB12J
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W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
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W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
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EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel