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Herstellerteilenummer | BQ4014MB-120 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4014MB-120 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4014MB-120 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120ns |
Zugriffszeit | 120ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.75V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014MB-120 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4014MB-120-FT |
W632GG6KB12I
Winbond Electronics
W632GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB12J
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W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
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W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
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W632GU6KB-12 TR
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W632GU6KB-15
Winbond Electronics
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel