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Herstellerteilenummer | BQ4014YMB-120 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BQ4014YMB-120 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BQ4014YMB-120 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 2Mb (256K x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 120ns |
Zugriffszeit | 120ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Supplier Device Package | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014YMB-120 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BQ4014YMB-120-FT |
W632GG6KB12J
Winbond Electronics
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
W632GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
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W632GU6KB-12 TR
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W632GU6KB-15
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W632GU6KB-15 TR
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W632GU6KB11I
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A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel