Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / BR5010W-G
Herstellerteilenummer | BR5010W-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BR5010W-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BR5010W-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 50A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-Square, BR-W |
Supplier Device Package | BR-W |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR5010W-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BR5010W-G-FT |
678-6
Microsemi Corporation
679-1
Microsemi Corporation
679-2
Microsemi Corporation
679-4
Microsemi Corporation
679-5
Microsemi Corporation
679-6
Microsemi Corporation
680-1
Microsemi Corporation
680-2
Microsemi Corporation
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel