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Herstellerteilenummer | BRL2012T150M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BRL2012T150M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | BR, L Type |
BRL2012T150M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 15µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 300mA |
Strom - Sättigung | 220mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 15MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BRL2012T150M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BRL2012T150M-FT |
MDPK5050T6R8MM
Taiyo Yuden
LB3218T100MV
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LB3218T101KV
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BRL3225T2R2M
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A3P600L-FGG484
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
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A42MX09-3VQ100I
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5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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