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Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

Name: BSB012N03LX3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB012N03LX3 G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (336 reviews)

MFG-Teilenummer: BSB012N03LX3 G

verfügbare Anzahl: 25250 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSB012N03LX3 G.pdf

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BSB012N03LX3 G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSB012N03LX3 G
Zukünftige Teilenummer	FT-BSB012N03LX3 G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	39A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	169nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	16900pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall	3-WDSON
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSB012N03LX3 G-FT

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