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BSB012N03LX3 G Image

Infineon Technologies BSB012N03LX3 G

MFG-Teilenummer
BSB012N03LX3 G
verfügbare Anzahl
25250 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSB012N03LX3 G.pdf
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BSB012N03LX3 G Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSB012N03LX3 G
Zukünftige Teilenummer FT-BSB012N03LX3 G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSB012N03LX3 G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 39A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 169nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16900pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall 3-WDSON
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB012N03LX3 G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSB012N03LX3 G-FT

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