Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSB014N04LX3GXUMA1
Herstellerteilenummer | BSB014N04LX3GXUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSB014N04LX3GXUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSB014N04LX3GXUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 16900pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Paket / fall | 3-WDSON |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSB014N04LX3GXUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSB014N04LX3GXUMA1-FT |
IPT60R150G7XTMA1
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IPT65R033G7XTMA1
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XC6SLX150T-2CSG484I
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M2GL010-FGG484I
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XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
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