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Infineon Technologies BSB028N06NN3GXUMA1

MFG-Teilenummer
BSB028N06NN3GXUMA1
verfügbare Anzahl
87720 Stücke
Referenzpreis
USD 0.858
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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BSB028N06NN3GXUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSB028N06NN3GXUMA1
Zukünftige Teilenummer FT-BSB028N06NN3GXUMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™
BSB028N06NN3GXUMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 102µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall 3-WDSON
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSB028N06NN3GXUMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSB028N06NN3GXUMA1-FT

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